ระบบไอบีอี

ระบบการกัดลำแสงไอออน (IBE) ของเราเป็นอุปกรณ์แปรรูปวัสดุที่มีความแม่นยำสูง-ซึ่งออกแบบมาสำหรับอุตสาหกรรมการผลิตนาโน-ระดับไมโคร ใช้ลำแสงไอออนแบบโฟกัสและควบคุมได้เพื่อทำการกัดทางกายภาพบนพื้นผิวของวัสดุที่เป็นฟิล์มบาง- ช่วยให้สามารถเลือกการกัดหรือยก-กระบวนการออกได้ด้วยความแม่นยำสูง

ระบบนี้ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมอย่างมืออาชีพเพื่อประมวลผลวัสดุฟิล์มบาง-หลายประเภท ซึ่งรวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียง Cu, Cr, Pt, Au, Ti, Ag และ Al₂O₃ รองรับขนาดเวเฟอร์มาตรฐาน 6 นิ้วและ 8 นิ้ว ทำให้เข้ากันได้สูงกับกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์กระแสหลักและไมโคร-อิเล็กโทร-ระบบเครื่องกล (MEMS) ด้วยการใช้ประโยชน์จากเทคโนโลยีการกัดเซาะที่มีอุณหภูมิต่ำ-และ-ความเสียหายต่ำ ทำให้เป็นโซลูชั่นที่ดีเยี่ยมสำหรับการเตรียมอุปกรณ์นาโน-ไมโครประสิทธิภาพสูง-

ความแม่นยำสูงและการควบคุมกระบวนการ

ระบบนี้รวมเข้ากับระบบการตรวจจับจุดสิ้นสุดการกัดขั้นสูง ซึ่งช่วยให้สามารถตรวจสอบ-แบบเรียลไทม์และควบคุมกระบวนการกัดทั้งหมดได้อย่างแม่นยำ ช่วยให้มั่นใจถึงความสามารถในการทำซ้ำและความแม่นยำที่ยอดเยี่ยม โดยมีความสม่ำเสมอในการแกะสลักที่น้อยกว่าหรือเท่ากับ ±5% (ทั้งภายในเวเฟอร์และเวเฟอร์-ถึง-เวเฟอร์) รับประกันผลลัพธ์คุณภาพสูง-ที่สม่ำเสมอตลอดชุดการผลิต

ความเข้ากันได้ของกระบวนการที่เหนือกว่า

เป็นไปตามข้อกำหนดหลาย-มุม อุณหภูมิต่ำ- (0 องศา – 30 องศา ) และข้อกำหนดการแกะสลักที่สร้างความเสียหายต่ำ- ความสามารถนี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในการปกป้องวัสดุที่ไวต่ออุณหภูมิ-และเปราะบาง ลดความเสียหายของพื้นผิวให้เหลือน้อยที่สุด และรักษาคุณสมบัติที่แท้จริงของฟิล์มบาง ซึ่งจะช่วยปรับปรุงผลผลิตและประสิทธิภาพของอุปกรณ์ได้อย่างมาก

การกำหนดค่าที่ยืดหยุ่นและปรับขนาดได้

เพื่อตอบสนองความต้องการด้านการผลิตและการวิจัยและพัฒนาที่หลากหลาย ระบบจึงเสนอสถาปัตยกรรมเครื่องมือคลัสเตอร์เสริม การออกแบบแบบแยกส่วนนี้ช่วยให้สามารถบูรณาการห้องกระบวนการหลายห้อง อำนวยความสะดวกในการบูรณาการกระบวนการที่ราบรื่น -การผลิตในปริมาณมาก และขั้นตอนการทำงานอัตโนมัติที่มีประสิทธิภาพ ทำให้เหมาะสำหรับทั้งการวิจัยในห้องปฏิบัติการและการผลิตจำนวนมากทางอุตสาหกรรม

ระบบการกัดลำแสงไอออนเป็นอุปกรณ์ที่สำคัญในด้านการผลิตนาโนขั้นสูง- พร้อมการใช้งานที่หลากหลาย:

1. การผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ใช้ในการสร้างลวดลายที่แม่นยำของอิเล็กโทรดโลหะ การเชื่อมต่อ และโครงสร้างเกตในวงจรรวม (IC) รวมถึงการตัดแต่งและการปรับตัวต้านทานและตัวเก็บประจุแบบฟิล์มบาง-

2. การผลิต MEMS และ NEMS

มีบทบาทสำคัญในการประดิษฐ์ไมโคร-เซนเซอร์ ไมโคร-แอคชูเอเตอร์ และอุปกรณ์ MEMS/NEMS อื่นๆ ทำให้สามารถสร้าง-โครงสร้างจุลภาคที่มีอัตราส่วนกว้างยาว-สูงและโครงสร้างแขวนลอยได้ด้วยความแม่นยำสูง

3. การผลิตอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์

นำไปใช้กับการประมวลผล-วัสดุฟิล์มบางในเลเซอร์ เครื่องตรวจจับแสง และท่อนำคลื่นแสง ซึ่งช่วยอำนวยความสะดวกในการผลิตส่วนประกอบออปโตอิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูง-

4. บรรจุภัณฑ์และการเชื่อมต่อขั้นสูง

ใช้ในเทคโนโลยีการบรรจุขั้นสูงสำหรับการเลือกการแกะสลักของชั้นกระจายซ้ำ (RDL) และการเตรียมโครงสร้างกันกระแทกที่มีความแม่นยำสูง-

ป้ายกำกับยอดนิยม: ระบบ ibe ประเทศจีน ผู้ผลิตระบบ ibe ซัพพลายเออร์