ระบบเอ็มบีอี

ระบบ Molecular Beam Epitaxy (MBE) ของเราเป็นอุปกรณ์การเจริญเติบโตแบบเอพิแทกเซียลที่มีความแม่นยำสูง-โดยเฉพาะสำหรับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบผสม โดยเฉพาะอย่างยิ่งวัสดุที่มีโครงสร้างเฮเทอโร-บางเป็นพิเศษ ส่วนใหญ่จะใช้ในการผลิตอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์และไมโครอิเล็กทรอนิกส์ เช่น GaAs pHEMT, VCSEL, HBT, APD, PIN, เครื่องตรวจจับที่ใช้พลวง- และเครื่องตรวจจับ HgCdTe มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการสื่อสารเคลื่อนที่ การสื่อสารด้วยใยแก้วนำแสง ปัญญาประดิษฐ์ คอมพิวเตอร์ควอนตัม การป้องกันประเทศ การวิจัยฟิสิกส์ที่ล้ำหน้า- และสาขาอื่นๆ

เทคโนโลยีการทำความร้อน PBN/PG/PBN ขั้นสูงช่วยให้มั่นใจได้ถึงความสม่ำเสมอของอุณหภูมิเวเฟอร์ที่ดีเยี่ยม โดยให้รากฐานที่มั่นคงสำหรับการเจริญเติบโตของเยื่อบุผิวคุณภาพสูง-

นำเทคโนโลยีเตาเผาต้นทางอุณหภูมิต่ำ-/ปานกลาง-ขั้นสูงมาใช้ และเทคโนโลยีเตาเผาแหล่งกำเนิดการแตกร้าวที่ควบคุมโดยวาล์ว- ซึ่งสามารถบรรลุการควบคุมฟลักซ์ลำแสงได้อย่างแม่นยำและปรับปรุงคุณภาพของวัสดุ

ติดตั้งเทคโนโลยีการถ่ายโอนเวเฟอร์อัตโนมัติหรือการถ่ายโอนด้วยตนเองที่มีความน่าเชื่อถือสูง- ตอบสนองสถานการณ์การใช้งานที่แตกต่างกันและปรับปรุงความยืดหยุ่นในการปฏิบัติงาน

ความสม่ำเสมอที่ดีของความหนาของฟิล์ม ส่วนประกอบ และการเติม รวมถึงความแม่นยำในการควบคุมสูง ทำให้มั่นใจถึงความสม่ำเสมอและความเสถียรของประสิทธิภาพของวัสดุเอพิแทกเซียล

อุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์: ใช้ในการเติบโตของ VCSEL, APD, PIN, เครื่องตรวจจับที่ใช้พลวง-, เครื่องตรวจจับ HgCdTe ฯลฯ รองรับการสื่อสารด้วยใยแก้วนำแสง การตรวจจับ และระบบสร้างภาพ

อุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์: ใช้กับการเตรียม GaAs pHEMT, HBT และอุปกรณ์-ความถี่และประสิทธิภาพสูง-อื่นๆ สำหรับการสื่อสารเคลื่อนที่ เรดาร์ และการส่งสัญญาณไร้สาย

การวิจัยที่ล้ำหน้า-: ใช้ในการคำนวณควอนตัม การวิจัยวัสดุใหม่ และเทคโนโลยีล้ำสมัยด้านการป้องกันประเทศ- โดยจัดหาวัสดุ epitaxx คุณภาพสูง-สำหรับการวิจัยขั้นพื้นฐานและการพัฒนาอุตสาหกรรม

ป้ายกำกับยอดนิยม: ระบบ mbe ผู้ผลิตระบบ mbe ซัพพลายเออร์จีน