ภาพรวมผลิตภัณฑ์

SCD 12 เป็นเครื่องเคลือบแบบหมุนอัตโนมัติ-ขนาด 12- นิ้วและอุปกรณ์ติดตามนักพัฒนาสำหรับกระบวนการพิมพ์หินเซมิคอนดักเตอร์ ออกแบบมาสำหรับการผลิตเวเฟอร์ขนาด 300 มม. ใช้การออกแบบสถาปัตยกรรมแบบโมดูลาร์- ซึ่งสนับสนุนการกำหนดค่าแชมเบอร์ที่ยืดหยุ่น สามารถรับรู้ถึงการเชื่อมต่อแบบอินไลน์กับเครื่องมือแสดงการพิมพ์หิน ครอบคลุมสถานการณ์การผลิตจำนวนมากและการวิจัยและพัฒนาสำหรับวงจรรวม บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง อุปกรณ์ไฟฟ้า และสาขาอื่นๆ

สามารถประมวลผลเวเฟอร์-บางเฉียบและโค้งงอได้ รองรับการสลับขนาด-เวเฟอร์-คู่โดยไม่ต้องเปลี่ยนชิ้นส่วน และเข้ากันได้อย่างสมบูรณ์กับกระบวนการพิมพ์หินเซมิคอนดักเตอร์กระแสหลัก

ข้อดี

การออกแบบหน่วย-ความจุสูงและขนาดกะทัดรัด กระบวนการแบบโมดูลาร์- ปริมาณงานสูง ประหยัดพื้นที่ห้องสะอาด-อันมีค่า ห้องกระบวนการสามารถกำหนดค่าได้อย่างยืดหยุ่นตามความต้องการของลูกค้า

ความสามารถในการประมวลผล-เวเฟอร์บิดเบี้ยวที่แข็งแกร่ง รองรับการถ่ายโอนและการประมวลผลที่เสถียรสำหรับเวเฟอร์-บางเฉียบและบิดเบี้ยวที่มีการบิดเบี้ยวต่ำกว่า 5 มม. ซึ่งช่วยแก้ปัญหาสำหรับการผลิตสารตั้งต้นพิเศษ-

ความเข้ากันได้สองขนาด-โดยไม่ต้องเปลี่ยนฮาร์ดแวร์ สลับระหว่างเวเฟอร์ขนาดต่างๆ โดยไม่ต้องเปลี่ยน{{1}ชิ้นส่วนกลไก ลดระยะเวลาในการเปลี่ยน และลดต้นทุนการดำเนินงาน

อินไลน์-พร้อมสำหรับเครื่องมือการพิมพ์หิน โมดูลอินเทอร์เฟซเสริมสนับสนุน-การเชื่อมต่อแบบอินไลน์กับเครื่องเปิดพิมพ์หินกระแสหลัก ทำให้เกิดการติดตาม-เวิร์กโฟลว์ litho อัตโนมัติเต็มรูปแบบ

ตัวเลือกโมดูล-การทำงานที่หลากหลาย รองรับ-จานร้อนที่มีความแม่นยำสูง การจัดตำแหน่งด้วยแสง การเปิดรับขอบเวเฟอร์ WEE และส่วนประกอบเสริมอื่นๆ เพื่อให้ตรงกับข้อกำหนด-กระบวนการที่หลากหลาย

พารามิเตอร์

รายการ	ข้อมูลจำเพาะ
แบบอย่าง	เครื่องเคลือบแบบหมุนและนักพัฒนา SCD 12 12-นิ้ว
ขนาดเวเฟอร์	12-นิ้ว (300 มม.) ใช้งานได้สองขนาดโดยไม่ต้องเปลี่ยนชิ้นส่วน
วัสดุพื้นผิว	ศรี, แก้ว
การกำหนดค่าห้อง	2C2D / 4C / 4D / 4C4D (ปรับแต่งได้)
กระบวนการพิมพ์หินที่รองรับ	i-บรรทัด, KrF, ArF, PI, SOG, SOC
ความกว้างของเส้นพิมพ์หินที่ใช้บังคับ	มากกว่าหรือเท่ากับ 90 นาโนเมตร
ปริมาณงานสูงสุด	110 WPH (ขึ้นอยู่กับสูตรและการกำหนดค่า)
ความเข้ากันได้ของเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว	รองรับการบิดเบี้ยว น้อยกว่าหรือเท่ากับ 5 มม. พิเศษ- การส่งผ่านและการประมวลผลเวเฟอร์ที่บาง/โค้งงอ
ขนาด (กว้าง × ลึก × สูง)	4970 × 1973 × 2460 มม
ฟังก์ชันอินไลน์	โมดูลอินเทอร์เฟซเสริมเพื่อเชื่อมต่อกับเครื่องพิมพ์หิน
หน่วยทางเลือก	จานร้อนที่มีความแม่นยำสูง - การจัดตำแหน่งด้วยแสง โมดูลรับแสงขอบเวเฟอร์ WEE
โหมดควบคุม	การควบคุมภายใน / การควบคุมอัตโนมัติของโรงงานระยะไกล
การรับรอง	สอดคล้องกับ SEMI S2

คำถามที่พบบ่อย

ถาม: SCD 12 รองรับซับสเตรตและเวเฟอร์ขนาดใดบ้าง

ตอบ: ส่วนใหญ่ใช้สำหรับเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้ว (300 มม.) ซึ่งรองรับพื้นผิว Si และ Glass รองรับการสลับขนาดคู่โดยไม่ต้องเปลี่ยนอะไหล่ และสามารถประมวลผลเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว/บางเป็นพิเศษโดยมีการบิดเบี้ยวน้อยกว่าหรือเท่ากับ 5 มม.

ถาม: เครื่องนี้สามารถทำงานด้วยกระบวนการพิมพ์หินแบบใดได้บ้าง

ตอบ: รองรับกระบวนการ i line, KrF, ArF, PI, SOG, SOC เหมาะสำหรับความกว้างของเส้นพิมพ์หินมากกว่าหรือเท่ากับ 90 นาโนเมตร

ถาม: SCD 12 สามารถเชื่อมต่อกับเครื่องสแกนหิน/สเต็ปเปอร์ได้หรือไม่

ก. ใช่. เลือกโมดูลอินเทอร์เฟซเสริมเพื่อให้ได้การเชื่อมต่ออินไลน์แบบอินไลน์กับเครื่องเปิดรับแสงการพิมพ์หินทั่วไป

ถาม: มีห้องการกำหนดค่าใดบ้างให้เลือก

A: การกำหนดค่าที่ใช้ได้: 2C2D / 4C / 4D / 4C4D ลูกค้าสามารถเพิ่มหน่วยเสริมได้ เช่น จานร้อนที่มีความแม่นยำสูง, การจัดตำแหน่งด้วยแสง, WEE, โมดูลอินไลน์อินเทอร์เฟซตามความต้องการของกระบวนการ

ถาม: ปริมาณงานจริงคืออะไร

ตอบ: ปริมาณงานสูงสุดคือ 110 WPH ปริมาณงานในโลกแห่งความเป็นจริงจะแตกต่างกันไปตามการกำหนดค่าห้องเพาะเลี้ยงจริงและสูตรการผลิต

ถาม: SCD 12 เหมาะสำหรับทั้งการผลิตจำนวนมากและการวิจัยและพัฒนาในห้องปฏิบัติการหรือไม่

ก. ใช่. การกำหนดค่าแบบโมดูลาร์ที่ยืดหยุ่นสามารถตอบสนองความต้องการด้านการผลิตจำนวนมากได้ และยังสามารถปรับให้เข้ากับงาน R&D จำนวนเล็กน้อยในสถาบันวิจัยได้อีกด้วย

ป้ายกำกับยอดนิยม: เครื่องเคลือบแบบหมุนและผู้พัฒนาขนาด 12 นิ้ว ผู้ผลิตและซัพพลายเออร์ของจีน เครื่องเคลือบแบบหมุนและผู้พัฒนาขนาด 12 นิ้ว