กระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์

กระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์ของชิป CMOS ทั่วไป 200 มม.
การสะสมไอสารเคมีเป็นเทคนิคที่ใช้ในการผลิตอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์เพื่อสะสมฟิล์มบางๆ ซึ่งอาจเป็นวัสดุอิเล็กทริกหรือเซมิคอนดักเตอร์ เทคโนโลยีการสะสมไอทางกายภาพใช้ก๊าซเฉื่อยเพื่อกระแทกเป้าหมายที่สปัตเตอร์และฝากวัสดุที่ต้องการไว้บนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ สภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูงและสุญญากาศภายในห้องปฏิกิริยาของกระบวนการอาจทำให้อะตอมของโลหะเหล่านี้ก่อตัวเป็นเมล็ดข้าว ซึ่งสามารถขึ้นรูปและแกะสลักเพื่อให้ได้วงจรนำไฟฟ้าที่ต้องการ
การพัฒนาด้านการมองเห็นเป็นกระบวนการแปลงกราฟิกจากโฟโตมาสก์ไปเป็นฟิล์มบาง โดยทั่วไปการพัฒนาด้านการมองเห็นจะรวมถึงขั้นตอนต่างๆ เช่น การเคลือบสารต้านทานแสง การอบ การจัดตำแหน่งแสง การเปิดรับแสง และการพัฒนา การกัดแบบแห้งเป็นวิธีการกัดแบบที่ใช้กันมากที่สุด ซึ่งใช้แก๊สเป็นตัวกลางในการกัดหลักและพลาสมาเพื่อขับเคลื่อนปฏิกิริยา การแกะสลักคือการกำจัดวัสดุที่ไม่ต้องการออกจากพื้นผิว
การขัดเงาด้วยกลไกทางเคมี (CMP) เป็นเทคโนโลยีที่ผสมผสานทั้งการขัดเงาเชิงกลและการขัดเงาด้วยสารละลายกรด{0}}เบส ซึ่งสามารถทำให้ผิวแผ่นเวเฟอร์ค่อนข้างเรียบและเอื้อต่อกระบวนการต่อมา ในระหว่างการบด สารละลายบดจะอยู่ระหว่างแผ่นเวเฟอร์และแผ่นเจียร ปัจจัยที่ส่งผลต่อ CMP ได้แก่ ความดันของหัวเจียรและความเรียบของเวเฟอร์ ความเร็วในการหมุน องค์ประกอบทางเคมีของสารละลายบด และอื่นๆ